Festkörpermaterialien - AG Eickhoff

Profil

Wir, die Arbeitsgruppe Festkörpermaterialien, untersuchen das Wachstum und die grundlegenden Eigenschaften von modernen Halbleitermaterialien. Dazu gehören Halbleiter der Gruppe III-Nitride (Al,In,Ga)N und halbleitende Oxide wie zum Beispiel (Zn,Mg)O oder die stabilen und metastabilen Phasen des Ga₂O₃sowie zweidimensionale Übergangsmetalldichalkogenide wie MoS₂ und WS₂. Für die Materialherstellung verwenden wir die Molekularstrahlepitaxie (Molecular Beam Epitaxy, MBE), oder die Atomlagen-Abscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) ultradünner Schichten.

Von besonderem Interesse ist die Herstellung und die Physik komplexer Hetero- und Nanostrukturen, wie zum Beispiel Nanodrähte, Nanodraht-Heterostrukturen, Quantendrähte oder Kombinationen aus Nanodrähten und ultradünnen funktionalen Oxiden.

Neben der Untersuchung grundlegender physikalischer Eigenschaften wird hier auch die Anwendung in elektronischen und nanophotonischen Bio- und Chemo-Sensoren und anderen (opto-)­elektronischen Bauelementen verfolgt.