Lehre AG Falta

Wir werden den Einfluss der Rauheit der Ru-Oberfläche auf die Keimbildung von Ga2O3 untersuchen.
Das Wachstum der Proben erfolgt durch Sputtern von Ru und Ga2O3 im Hochfrequenzbereich (RF).
Die Oberflächenrauheit der Ru-Schichten wird durch Tempern bei verschiedenen Temperaturen angepasst.
Ga2O3-Schichten werden bei verschiedenen Temperaturen gezüchtet, um den Keimbildungsprozess im Detail zu untersuchen.
Zur Charakterisierung der Wachstumsschritte werden verschiedene Techniken eingesetzt, wie z. B. Rastermikroskopie (AFM/STM), Niederenergie-Elektronenbeugung (LEED) und Röntgen-Photoemissionsspektroskopie (XPS).

Ziel: Erarbeitung eines zuverlässigen Designs für RS-Schaltgeräte.
Beim alten Design konnten die leitenden Spitzen leicht die Oberfläche des Kontakts zerkratzen, wodurch das Gerät leicht zerstört wurde. Dies führte zu einer geringen Ausbeute und zu Problemen mit der Wiederholbarkeit der Messungen.
Die Proben werden durch Sputtern von Ruthenium, Saphir und Aluminium in einer Kreuzstabgeometrie hergestellt und durch Niederenergie-Elektronenbeugung (LEED) und Rasterelektronenmikroskopie (SEM) sowie Rasterkraftmikroskopie geprüft.
Elektrische Messungen werden Aufschluss über die resistiven Schalteigenschaften geben.

Die Adsorption von Gallium auf der Ruthenium (0001)-Oberfläche wird mittels hochauflösender Niederenergie-Elektronenbeugung (SPA-LEED), Mikroskopie (LEEM und AFM) und Elektronenspektroskopie untersucht.
Ziel ist es, die Entwicklung der Oberflächenstruktur und -morphologie und die Auswirkungen auf die Oberflächenchemie, z. B. in der Katalyse, zu verstehen.