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MBE-by-Design

Untergruppenleitung Dr. Patrick Vogt

Die 'MBE-by-Design'-Gruppe forscht an der Entdeckung und Bestimmung neuer Reaktionsmechanismen und Materialverbindungen während des MBE-Wachstums. Ziel der Forschung ist die Entwicklung neuer MBE-Varianten und das Wachstum von funktionellen Materialien mit überlegenen Eigenschaften. Dies wird erreicht durch das Untersuchen, Verstehen und Modellieren der Reaktionskinetik und Thermodynamik des MBE-Dünnschichtwachstums von Oxid- und Nitrid-Materialien.

Die Gruppe kollaboriert mit der Cornell Universität (NY, USA), Penn State Universität (PA, USA) und dem Max-Planck-Institut für Eisenforschung (MPIE) zur experimentellen und  theoretischen Erforschung neuer Ausrichtungen in der Materialwissenschaft.

CV (kurz):

Patrick Vogt promovierte (mit Auszeichnung) am Paul-Drude-Institut, Berlin. Anschließend forschte er mit Prof. James S. Speck an der UC Santa Barbara (UCSB) sowie mit Prof. Darrell G. Schlom an der Cornell Universität, wo er neue MBE-Varianten entwickelte. Er erhielt den Lise-Meitner-Preis (Humboldt-Universität) für seine Forschungen über die Reaktionskinetik und Thermodynamik von Oxid-Materialien wahrend des MBE-Wachstums, publizierte mehrere Arbeiten zu neuen MBE-Reaktionsmechanismen sowie MBE-Varianten und hält ein US-Patent über die kürzlich entwickelte MBE-Technik: Suboxid-MBE (S-MBE)

Ausgewählte (projektrelevante) Publikationen:

 

Metal-Exchange Catalysis in the Growth of Sesquioxides: Towards Heterostructures of Transparent Oxide Semiconductors

Patrick Vogt, Oliver Brandt, Henning Riechert, Jonas Lähnemann, Oliver Bierwagen

Physical Review Letters 119, 196001 (2017)

DOI: 10.1103/PhysRevLett.119.196001

 

 

Metal-oxide catalyzed epitaxy (MOCATAXY): the example of the O plasma-assisted molecular beam epitaxy of β-(AlxGa1−x)2O3/β-Ga2O3 heterostructures

Patrick Vogt, Akhil Mauze, Feng Wu, Bastien Bonef, James S. Speck

Applied Physics Express 11, 115503 (2018)

DOI: 10.7567/APEX.11.115503

 

 

Quantitative subcompound-mediated reaction model for the molecular beam epitaxy of III-VI and IV-VI thin films: Applied to Ga2O3, In2O3, and SnO2

Patrick Vogt, Oliver Bierwagen

Physical Review Materials 2, 120401(R) (2018)

DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.2.120401

 

 

Adsorption-controlled growth of Ga2O3 by suboxide molecular-beam epitaxy

Patrick Vogt, Felix V. E. Hensling, Kathy Azizie, Celesta S. Chang, David Turner, Jisung Park, Jonathan P. McCandless, Hanjong Paik, Brandon J. Bocklund, Georg Hoffman, Oliver Bierwagen, Debdeep Jena, Huili G. Xing, Shin Mou, David A. Muller, Shun-Li Shang, Zi-Kui Liu, Darrell G. Schlom

APL Materials 9, 031101 (2021)

DOI: https://doi.org/10.1063/5.0035469