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Festkörpermaterialien AG Falta - Oberflächenphysik AG Rosenauer - Elektronenmikroskopie AG Callsen - Halbleiteroptik
Bereich: FB1
Dotierungs- sowie Legierungsexperimente. Im Bereich der oxidischen Halbleiter liegt der Fokus auf dem Wachstum von II-VI Halbleitern sowie den Materialsystemen um SnO 2 und Ga 2 O 3 . Bei der verwendeten [...] „Festkörpermaterialien“ ist die Materialsynthese. Neuartige Dünnschichten oder Nanostrukturen von Halbleitermaterialien werden mittels plasma-assistierter Molekularstrahlepitaxie ( PAMBE ) in einem selbst-assemblierten [...] ist die Materialsynthese. Neuartige Dünnschichten oder Nanostrukturen von Nitrid-basierten Halbleitermaterialien werden mittels plasma-assistierter Molekularstrahlepitaxie ( PAMBE ) in einem selbst-assemblierten
Angebote der AG Rosenauer in der Elektronenmikroskopie Angebote der AG Gutowski / Callsen in der Halbleiteroptik
ik Forschungsschwerpunkte Die Forschungsinteressen betreffen vorwiegend Aspekte der Halbleiter-Leistungsbauelemente und der dazugehörigen Integration Silizium-Materialeigenschaften Photovoltaik Simulation
Koooperation mit Prof. Rosenauer ("Quantitative Bestimmung interner elektrischer Felder in Halbleiter-Nanostrukturen durch Transmissionselektronenmikroskopie"). Weitere Informationen Februar 2021 Wie begrüßen [...] unseren neuen Bacherlostudenten Michael Paul ("Optische Spektroskopie an zweidimensionalen Halbleiternmaterialien") November 2020 Wie begrüßen unsere neue Masterstudentin Genrietta Steingelb ("Dynamisches
Bremen Oberflächen- physik AG Falta © t.rohbeck/IFP Elektronen- mikroskopie AG Rosenauer © AGR Halbleiteroptik AG Callsen
für Postdocs) Laufzeit: 01.01.2022 - 31.12.2024 Beschreibung: Galliumoxid ( Ga 2 O 3 ) ist ein Halbleiter mit einer extrem breiten Bandlücke ( UWBG ), der sich aufgrund seiner Bandlücke von 5 eV und der [...] der Verfügbarkeit von kostengünstigen Substraten als vielversprechende Alternative zu führenden Halbleitern mit großer Bandlücke für elektronische und optische Hochleistungsgeräte erwiesen hat. Ziel dieses [...] Kontakt: Dr. Manuel Alonso Orts Quantitative Bestimmung interner elektrischer Felder in Halbleiter-Nanostrukturen durch Transmissionselektronenmikroskopie Förderung: Deutsche Forschungsgemeinschaft DFG
Christian Tessarek / Universität Bremen Universität Bremen Institut für Festkörperhysik Abteilung Halbleiteroptik Otto-Hahn-Allee 1, NW1 28359 Bremen Telefon: +49-421-218-62201 Fax: +49-421-218-62251 Gebäudeplan
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